預計 Samsung 據韓聯社報導，下週將宣布開始量產 3nm 芯片。 這使該公司領先於台積電，台積電預計將在今年下半年開始生產 3nm 芯片。
與 5nm 工藝（用於驍龍 888 和 Exynos 2100）相比，三星的 3nm 節點將減少 35% 的面積，提高 30% 的性能，降低 50% 的功耗。
這將通過切換到全環柵極 (GAA) 晶體管設計來實現。 這是 FinFET 之後的下一步，因為它可以在不影響其傳導電流能力的情況下減小晶體管的尺寸。 3nm節點上使用的GAAFET設計如下圖所示。
美國總統喬拜登上個月參觀了該工廠 Samsung 在平澤參加3nm技術的演示 Samsung. 去年，有傳言稱該公司可能會投資 10 億美元在德克薩斯州建立 3nm 代工廠。 這些投資已增至 17 億美元，該工廠預計將於 2024 年開始運營。
無論如何，創建新節點時最關心的問題是輸出。 去年十月 Samsung 表示3nm工藝的性能“接近4nm工藝水平”。 儘管該公司尚未公佈官方數據，但分析師認為 4 納米節點 Samsung 與產量問題有關。
第二代 3nm 節點預計在 2023 年推出，該公司的路線圖還包括 2 年基於 MBCFET 的 2025nm 節點。
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