日本微電路製造商 柯夏 開發閃存 NAND閃存 大約有 170 層，與美國同行美光科技和韓國 SK 海力士一起開發先進技術。
與美國合作夥伴共同開發的新型 NAND 存儲器 西部數據 並且可以記錄數據的速度是鎧俠當前頂級產品的兩倍，後者由 112 層組成。
鎧俠前身為東芝存儲器，計劃在半導體行業年度全球論壇國際固態會議上推出其新型 NAND，併計劃最早於明年開始量產。
它希望滿足與數據中心和智能手機相關的需求，因為第五代無線技術的普及導致數據傳輸量和速度的增加。 但這一領域的競爭已經愈演愈烈：美光和 SK 海力士正在發布他們的新產品。
鎧俠還設法在其新的 NAND 中每層安裝更多的存儲單元，這意味著它可以使芯片比其他具有相同內存量的芯片小 30%。 更小的微電路將為智能手機、服務器和其他產品的創建提供更大的靈活性。
為了增加閃存的產量，鎧俠和西部數據計劃今年春天在日本橫海道開始建設一座價值 9,45 億美元的工廠。 他們的目標是最早在 2022 年將第一條生產線投入運營。
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