公司 美光科技 宣布開始交付全球首款176層閃存 3D NAND. 據製造商稱，先進架構的使用使得實現“根本性突破”成為可能，不僅顯著提高了存儲密度，還顯著提高了性能。 新內存將在數據中心、智能外圍設備和移動設備的存儲中找到應用。
新穎之處在於第五代 3D NAND 和第二代 RG（替換門）架構，是市場上可用的開發中技術最先進的。 與美光生產的上一代3D NAND相比，讀寫延遲降低了35%以上。 另一個優勢是緊湊的設計——176 層內存芯片比同類最佳競爭對手產品小約 30%，這使得新內存非常適合需要小尺寸的應用。
美光的第五代 3D NAND 在開放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 總線上還擁有行業領先的每秒 1600 億次傳輸 (MT/s) 的數據傳輸率，比之前的 33 MT/s 快 1200%前幾代的 96 層和 128 層 3D NAND 美光存儲器。
美光正與行業代表合作，加快新內存的採用。 美光的 176 層三層 3D NAND 存儲器在美光的新加坡工廠進行批量生產，現在可供客戶使用，包括通過 Crucial 英睿達的消費級固態驅動器系列。 該公司將在 2021 日曆年推出基於該技術的其他新產品。
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