Micross推出具有創紀錄容量的超可靠STT-MRAM存儲芯片

剛剛宣布推出用於航空航天應用的 1 Gbit (128 MB) STT-MRAM 離散存儲芯片。 這比之前提供的磁阻存儲器密度大很多倍。 如果我們談論 Micross 公司的產品，STT-MRAM 存儲元件的實際放置密度增加了 64 倍，該公司為航空航天和國防工業生產超可靠的電子填料。

STT-MRAM Micross 芯片基於美國公司 Avalanche Technology 的技術。 Avalanche 由來自 Lexar 和 Cirrus Logic 的 Peter Estakhri 於 2006 年創立。 除了 Avalanche、Everspin 和 Samsung. 第一個與 GlobalFoundries 合作，專注於發布技術標準為 22 nm 的嵌入式和分立 STT-MRAM，第二個（Samsung) 同時以控制器內置 28 nm 塊的形式發布 STT-MRAM。 順便說一句，一塊容量為 1 Gb 的 STT-MRAM， Samsung 大約三年前提出。

Micross的優點可以認為是發布了離散的1Gbit STT-MRAM，它在電子產品中易於使用，而不是NAND閃存。 STT-MRAM 內存可在更大的溫度範圍（從 -40°C 到 125°C）下運行，並且重寫週期數幾乎是無限的。 它不怕輻射和溫度變化，可以將數據存儲在單元格中長達 10 年，更不用說更高的讀寫速度和更少的能耗。

回想一下，STT-MRAM 存儲器以磁化的形式將數據存儲在單元中。 這種效應是 1974 年在 IBM 開發硬盤時發現的。 更準確地說，發現了磁阻效應，這是 MRAM 技術的基礎。 很久以後，有人提出使用電子自旋（磁矩）轉移效應來改變存儲層的磁化強度。 因此，縮寫 STT 被添加到名稱 MRAM 中。 自旋電子學在電子學中的發展方向是基於自旋的轉移，由於過程中的電流極小，大大降低了芯片的消耗。

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