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公司 Samsung 宣布它是世界上第一個展示用於內存計算的 MRAM（磁阻隨機存取存儲器）技術。 該公司的論文題為“用於內存計算的交叉陣列磁阻器件”，發表在《自然》雜誌上。
數據通常存儲在處理器的高速 DRAM 中。 然而，MRAM 改變了這種情況並集成了數據存儲和計算，允許兩者發生在同一個芯片上。 從理論上講，這種情況下的操作執行得更快，因為不需要從處理器的內存中傳輸數據，反之亦然。 此外，由於數據處理以非常並行的方式在內存中進行，因此可以顯著節省電力。
該演示是一個突破，因為雖然 PRAM 和 RRAM 等其他內存計算解決方案已經得到演示，但工作 MRAM 很難實現，主要是因為它的低電阻。 在標準內存計算架構中也無法利用 MRAM 的能效優勢。
公司 Samsung 使用專有的 MRAM 陣列芯片使 MRAM 成為可能，該芯片使用電阻和而不是標準電流和來解決電阻問題。
該解決方案使用人工智能 (AI) 應用程序進行了測試，在分類手寫數字方面的準確率達到 98%，在檢測圖像中的人臉方面的準確率達到 93%。 Samsung 聲稱 MRAM 技術可用於 AI 處理並創建高性能 AI 芯片。
該論文的第一作者 Seunchul Jung 博士說：“記憶中的計算類似於大腦，因為在大腦中，計算也發生在生物記憶網絡或突觸中——神經元相互接觸的點。 事實上，雖然我們的 MRAM 網絡執行的計算現在與大腦執行的計算有不同的目的，但這樣的固態存儲網絡將來可能會被用作模擬大腦的平台，通過模擬人的通信來模擬大腦。大腦突觸。”
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