公司 Huawei 獲得了 EUV 光刻（極紫外光刻）系統中使用的重要組件之一的專利，這是在高達 10 nm 的工藝過程中創建高級處理器所必需的。 它解決了紫外線產生的干涉圖案問題，否則會使印版不均勻。
公司正處於微電路生產的最後階段 Huawei 解決了由微小波長的極紫外光引起的問題。 該公司的專利描述了一系列鏡子，這些鏡子將一束光分成幾束子光束，這些子光束與它們自己的微鏡發生碰撞。
目前，EUV 光刻系統由荷蘭公司 ASML 獨家生產。 它們基於與舊形式光刻相同的原理，但使用波長約為 13,5 nm 的光，這幾乎是 X 射線。 ASML 從快速移動的直徑約 25 微米的熔融錫液滴中產生紫外線。
“在秋天，”ASML 解釋說，“液滴首先在低強度激光脈衝下落下，將它們壓扁成薄餅。 一個更強大的激光脈衝然後蒸發扁平的液滴，產生髮射紫外線的等離子體。 為了產生足夠的光來製造微芯片，這個過程每秒重複 50 次。
ASML 耗時超過 6 億歐元，歷時 17 年才研製出第一批可銷售的 EUV 光刻機。 但是美國政府 施加壓力 荷蘭政府，這樣該公司就不會向中國出口新奇產品，並且該國將僅限於較舊的 DUV（深紫外線）技術。 所以目前只有五家公司使用或已經宣布計劃使用 ASML EUV 光刻系統：美國的英特爾和美光， Samsung 以及韓國的 SK 海力士和台灣的台積電。
中國企業如 Huawei，之前能夠將他們的設計發送到台積電等工廠，使用 EUV 光刻進行製造。 但自從美國引進 制裁 對付中國，這幾乎是不可能的。 然而 Huawei 仍然需要訪問使用 EUV 光刻的高級節點，以繼續改進處理器。 所以現在該公司的目標是建立自己的 EUV 系統，並且正在從政府那裡獲得足夠的資金和支持。 但這仍然需要很多時間。
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