美光科技公司 宣佈業界首款 3 層 232D NAND 存儲設備。 該公司計劃將其新的 232 層 3D NAND 產品用於包括固態驅動器在內的各種設備，併計劃在 2022 年底開始增加此類芯片的生產。
美光的 232 層 3D NAND 器件採用 3D TLC 架構，直接存儲容量為 1 TB (128 GB)。 該芯片基於美光的 CMOS 陣列下 (CuA) 架構，並使用 NAND 行堆疊方法在彼此之上構建兩個 3D NAND 陣列。
CuA 設計與 232 層 NAND 相結合，將顯著減小美光 3TB 1D TLC NAND 存儲芯片的尺寸，這有望降低製造成本，並使美光能夠更積極地為這些芯片的設備定價，或者只是增加其利潤率。
美光尚未公佈其新型 232L 3D TLC NAND IC 中的 I/O 速度或平面數量，但暗示與現有 3D NAND 設備相比，新內存將提供更高的性能，這對下一代特別有用帶 PCIe 5.0 接口的固態硬盤
談到固態驅動器，美光科技和產品執行副總裁 Scott DeBoer 表示，該公司已與專有和第三方 NAND 控制器開發商密切合作，以確保對新型內存的適當支持。
在其 232 層 3D TLC NAND 的其他優勢中，美光提到了與上一代節點相比的功耗，鑑於美光歷來專注於移動應用以及與相關設備製造商的關係，這將是另一個優勢。
考慮到美光將在 232 年底開始生產 3 層 2022D TLC NAND 設備，我們可以預期帶有新內存的 SSD 應該會在 2023 年出現。
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