隨著製造商不斷榨取當前 GDDR6 和 GDDR6X 內存模塊的每一滴性能， Samsung 宣布了一個新的和改進的家庭代表——GDDR6W。 Samsung 聲稱 GDDR6W 可以在帶寬和性能方面與 HBM2 競爭。
2016年 Samsung 和其他製造商開始發布快速（但不完善）高速內存 (HBM) 模塊的後繼產品。 高速內存 2 (HBM2) 似乎解決了上一代的所有問題，增加了容量、速度和帶寬。 不幸的是，HBM2 在桌面圖形市場上從未取得多大成功。
Fury 和 Vega 卡系列分別使用 HBM 和 HBM2。 不幸的是，它們都失敗了，AMD 再次回歸 GDDR6 內存，從 RX 5000 系列開始。一些用戶對 HBM2 的快速放棄感到失望是可以理解的。
這裡是公司 Samsung 展示了其在 GDDR6 系列中的最新創新——GDDR6W。 這家韓國科技巨頭希望將 HBM2 的一些優勢帶入已經成功的 GDDR6 平台，尤其是增加的帶寬。 根據提供的細節和數字判斷 Samsung, GDDR6W 可能會成為未來 GPU 的遊戲規則改變者。
Samsung 非常重視虛擬現實和元宇宙應用。 但是，沒有理由相信 GDDR6W 總體上不會為未來的獨立顯卡帶來好處。
Samsung 首先採用現有的 GDDR6 平台並實施所謂的扇出晶圓級封裝 (FOWLP)。 它們不是將存儲芯片放置在印刷電路板上，而是直接安裝在矽晶片上。 重新分佈層提供了“更薄的電路”，由於不涉及 PCB，因此模塊整體更薄，散熱效果更好。
“因為在相同尺寸的封裝中可以容納兩倍多的內存芯片，圖形 DRAM 容量從 16GB 增加到 32GB，帶寬和 I/O 從 32 增加了一倍到 64。換句話說，內存所需的面積，與之前的型號相比減少了 50%，”新聞稿稱。
由於模塊佈局和晶體整體尺寸的變化，GDDR6W 比其對應的 GDDR36 短了 6%。 由於佔用空間不變，這些模塊可以“在與當前 GDDR6 產品相同的製造工藝中實現”。
正如您在上面看到的，GDDR6W 的帶寬非常接近 HBM2E 矩陣的帶寬。 GDDR6X 的當前帶寬限制約為每秒 1 TB，而 GDDR6W 顯著超過此限制，約為 400 MB/s。
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