在最後一次投資者簡報會上 Samsung 宣布其 3nm 芯片的生產將在未來幾週內開始。 如果發生這種情況，其進展將比台積電更快。 據台積電透露，其採用FinFET架構的3nm工藝製程將於下半年投入量產。 業內分析人士認為，雖然 Samsung 聲稱3nm工藝接近量產，在晶體管密度和性能方面可與台積電的5nm工藝和英特爾的4nm工藝相媲美。 理論上，3納米芯片 Samsung 是最新的，但仍然落後於台積電。
Samsung 聲稱與目前的 7nm FinFET 架構工藝相比，新的 3nm 技術芯片可以在低於 0,75V 的電壓下工作。 這將使總能耗降低50%。 它還將性能提高 30% 並將芯片尺寸減小 45%。
雖然 3 納米技術 Samsung 與台積電的4nm工藝相比，前者的帶寬和漏電控制效率會更好。 這很可能會提高性能。
不過，目前尚不知道的最大變數是3nm工藝的輸出能有多好 Samsung. 4納米技術 Samsung 性能很差，這讓主流客戶選擇了台積電。 根據行業報告，產量 Samsung 在 3 nm 工藝上僅佔 10% 左右，但 Samsung 沒有證實這一點。
業內人士認為，如 Apple,AMD, NVIDIA其中，高通、英特爾和聯發科將是台積電3奈米技術量產初期的主要客戶，應用在高速運算、智慧型手機等領域。台積電錶示，今年下半年3nm製程量產後，將成為PPA（效能、功耗和麵積）和電晶體技術的領導者。
此外，台積電還走上了更先進的2nm工藝。 預計2024年開始試生產，2025年量產。 可以樂觀地說，2nm工藝將成為業界領先的技術，也是最適合支持越來越多的客戶的技術。
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