處理器製造商從未停止基礎和應用研發，所以現在台積電（台積電）已為其 N2（2nm 級）製造工藝設定了時間表，以在 2025 年進入多批量製造（HVM），現在是該公司考慮下一個工藝的時候了。 如果要相信新的傳聞，台積電將在 1,4 月正式宣布其 nm 級技術。
因此，據韓國商業報導，台積電計劃在 3 月將開發其 N3 節點（1,4nm 級）的團隊轉移到 1,4nm 級製造工藝的開發中。 作為一般規則，代工廠和芯片製造商從不正式宣布里程碑，因此我們不太可能看到台積電的新聞稿稱其 2nm 芯片的開發已經開始。 同時，台積電將於 月中旬舉行技術研討會，屆時該公司可能會透露一些有關將取代 N 製造工藝的節點的簡要細節。
標準的技術設計過程包括尋找方法、研究和開發階段。 尋路涉及諸如材料和物理學的基礎研究之類的事情，在許多情況下，它是在許多芯片上同時完成的。 目前，台積電的 2nm 探路可能已經結束，因此專門從事基礎物理和化學的相關團隊正在研究 2nm 的後續產品，可以稱為 1,4nm 或 14 埃。
台積電的 2nm 基於柵極場效應晶體管 (GAAFET)，但將使用現有的極紫外 (EUV) 光刻技術，數值孔徑為 0,33 (0,33 NA)。 鑑於我們今天知道的台積電 2nm 的細節，它的繼任者可能會保留 GAA 晶體管，但它是否會切換到數值孔徑為 0,55 的 EUV 工具還有待觀察。
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